Интегральные микросхемы

Интегральные микросхемы — это микроэлектронные изделия, состоящие из активных (диодов, транзисторов) и пассивных (резисторов, конденсаторов и индуктивностей) элементов, объединенных в единый функциональный блок, отдельные участки которого эквивалентны определенным элементам, а в целом блок обладает свойствами электронной схемы и рассматривается как единое конструктивное целое. Плотность упаковки элементов (степень интеграции) в микросхемах достигает десятков тысяч элементов в одном кубическом сантиметре.
По технологическому принципу различают пленочные поверхностные и полупроводниковые объемные микросхемы. Сочетание нескольких схем в одном блоке называют гибридной интегральной схемой.
Пленочные поверхностные микросхемы получают нанесением на поверхность диэлектрика различных материалов методами вакуумного осаждения, катодного распыления, осаждения. в плазме, с помощью ионных или электронных лучей и т. д. В необходимых случаях производят подгонку параметров схемы выжиганием лазерным лучом, химическим, электрохимическим или термическим удалением и другими методами. В качестве подложек микросхем используют бес щелочные стекла (например, боросиликатные), ситалл (Ст50-1) или керамику (11ХС). Для получения резисторов применяют тонкие пленки (от 0,01 до 0,2 мкм) хрома, тантала, рения, различных сплавов и композиций (нихрома, хрома с окисью кремния). При получении конденсаторов в качестве диэлектрика используют моноокись кремния, а также сульфид цинка, фтористый магний, окись тантала или алюминия в виде тонких пленок (от 0,06 до 1,5 мкм). Проводящие обкладки, соединительные проводники и контакты выполняют из металлов с хорошей проводимостью, а полупроводниковые материалы используют для создания диодов, триодов и др. Пленки напыляют через трафареты (маски).
Полупроводниковые объемные микросхемы выполняют, как Правило, на монокристалле кремния, в котором в результате обработки методами диффузии, осаждения, травления и т. д. получают области и объемы, обладающие теми или иными Я свойствами определенных элементов схемы. Причем отдельные области и объемы настолько малы, что резкая граница между ними отсутствует. Для обработки монокристалла и создания определенных областей и объемов используют двуокись кремния, хлориды I бора и кремния, бромиды бора и другие особо чистые вещества. В соответствии с ГОСТ 18682—73 принята система условных обозначений микросхем. По конструктивно-технологическому исполнению их подразделяют на три группы: полупроводниковые (обозначение группы 1, 5 или 7), гибридные (2, 4, 6 или 8) и прочие (3), а по назначению — на следующие подгруппы: усилители (У), генераторы (Г), преобразователи (П), модуляторы (М), триггеры (Т), фильтры (Ф), коммутаторы и ключи (К), вторичные источники питания (Е). Логические схемы обозначают буквой Л, запоминающие —буквой Р, многофункциональные — X и т. д. В зависимости от назначения микросхемы каждой подгруппы подразделяют на виды и обозначают соответствующей буквой. Таким образом, сочетание букв, указывающих вид и подгруппу, определяет функциональное назначение микросхемы (например, УВ означает усилитель высокой частоты, УН — низкочастотный, ДС — детектор частотный, ТЛ — триггер Шмитта, ТС —комбинированный триггер, ФЕ — полосовой фильтр и т. д.).
Микросхемы могут состоять из набора однотипных элементов, например резисторов (HP), конденсаторов (НЕ), диодов (НД), транзисторов (НТ). Комбинированный набор элементов микросхемы обозначают НК.
Микросхемы выпускают сериями. Серии полупроводниковых микросхем имеют номера с 100 по 199, с 500 по 599, с 700 по 799, гибридных — с 200 по 299, с 400 по 499, с 600 по 699 и с 800 по 899, а пленочных, вакуумных и др.— с 300 по 399 (первая цифра обозначает группу, а две другие — номер серии). В начале обозначения серии микросхем общего применения имеется индекс К, а в конце— номер разработки и буква А, Б и т. д., которая указывает разновидность микросхемы (буква может отсутствовать). Так, обозначение микросхемы К121ЛБ1А расшифровывается: К —схема общего применения, 1 — полупроводниковая, 21—номер регистрации серии, ЛБ—логическая схема И-НЕ/ИЛИ-НЕ, разработка 1-я, разновидность А. Схема относится к серии К121.
Микросхемы, разработанные до 1974 г.— срока введения ныне действующего ГОСТ, обозначались несколько иначе. В их обозначении буквы, указывающие функциональную принадлежность, ставятся между цифрой (группы) и двузначным номером разработки. Так, К1ТКЗЗЗ означает: ТК — универсальный триггер из микросхем серии К133, разработка 3-я. Действующим ГОСТ изменены некоторые буквенные обозначения видов, например триггер Шмитта обозначался, набор резисторов — НС.

 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120
 

Яндекс.Метрика